Атрибуты продукта
Описание: Флэш-память CMOS 4 Мбит (512 КБ x 8 бит/256 КБ x 16 бит), напряжение 5,0 В, только загрузочный сектор. Характеристики: - Быстрое время доступа: 55, 70, 90, 120, 150 и 200 нс - Низкое энергопотребление: - Активный ток: 45 мА (типично) - Ток в режиме ожидания: 5 мА (типично) - Требования к низкому напряжению: - Чтение, программирование и стирание: 5,0 В ± 10 % - Автоматическое программирование и стирание: 5,0 В ± 10 % - Гибкий сектор Архитектура: - унифицированные секторы по 4 КБ - унифицированные секторы по 8 КБ - унифицированные секторы по 16 КБ - унифицированные сектора по 32 КБ - архитектура загрузочного сектора - встроенный алгоритм: - стирание/приостановка и возобновление программы - блокировка программирования и стирания - аппаратная защита данных - программирование/стирание контроллер - Алгоритм автоматического выбора - Высокая надежность: - Срок службы: 100 000 циклов программирования/стирания - Срок хранения данных: 20 лет - Корпус: 44-контактный SOP Применения: - Автомобильная промышленность - Промышленность - Потребительские услуги - Связь - Медицинская (только для справки)
ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
● Работа от одного источника питания
— Только напряжение 5,0 В для операций чтения, стирания и программирования.
— Минимизирует требования к системному уровню
● Изготовлено по техпроцессу 0,32 мкм.
— Совместим с устройством Am29F400 0,5 мкм.
● Высокая производительность
— Время доступа до 45 нс
● Низкое энергопотребление (типовые значения при 5 МГц)
— ток в режиме ожидания 1 мкА
— Ток чтения 20 мА (байтовый режим)
— Ток чтения 28 мА (режим слова)
— Ток программирования/стирания 30 мА
● Гибкая отраслевая архитектура.
— Один сектор по 16 Кбайт, два по 8 Кбайт, один по 32 Кбайт и семь секторов по 64 Кбайт (байтовый режим)
— Один сектор по 8 килослов, два по 4 килослова, один по 16 килослов и семь секторов по 32 килослова (словный режим)
— Поддержка полного стирания чипа
— Возможности «Защиты сектора»:
Аппаратный метод блокировки сектора для предотвращения любого программного обеспечения или операций стирания в этом секторе.
Секторы могут быть заблокированы с помощью программного обеспечения.
Функция снятия защиты временного сектора позволяет вносить изменения в код в ранее заблокированных секторах.
● Конфигурации верхнего или нижнего загрузочного блока.
● Встроенные алгоритмы
— Встроенный алгоритм стирания автоматически предварительно программирует и стирает весь чип или любую комбинацию назначенных секторов.
— Алгоритм встроенной программы автоматически записывает и проверяет данные по указанным адресам.
● Гарантировано минимум 1 000 000 циклов программирования/стирания на сектор.
● Сохранение данных в течение 20 лет при температуре 125°C.
— Надежная работа на протяжении всего срока службы системы
● Вариант пакета
— 48-контактный ЦОП
— 44-контактный SO
— Known Good Die (KGD) (см. публикацию № 21258)
● Совместимость со стандартами JEDEC.
— Распиновка и программное обеспечение совместимы с флэш-памятью с одним источником питания.
— Превосходная защита от непреднамеренной записи
● Data# Опрос и переключение битов.
— Обеспечивает программный метод обнаружения завершения программы или операции стирания.
● Контакт «Готов/Занят#» (RY/BY#).
— Обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения программы или цикла стирания.
● Удалить приостановку/Удалить возобновление.
— Приостанавливает операцию стирания для чтения данных или программирования данных в секторе, который не стирается, затем возобновляет операцию стирания.
● Контакт аппаратного сброса (RESET#).
— Аппаратный метод сброса устройства на чтение данных массива
ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
Am29F400B — это флэш-память емкостью 4 Мбит и напряжением 5,0 В, организованная как 524 288 байт или 262 144 слова. Устройство предлагается в 44-контактном корпусе SO и 48-контактном корпусе TSOP. Устройство также доступно в форме Known Good Die (KGD). Для получения дополнительной информации обратитесь к публикации номер 21258. Данные всего слова (x16) появляются в DQ15–DQ0; данные шириной в байт (x8) появляются на DQ7–DQ0. Это устройство предназначено для программирования внутри системы со стандартным системным питанием VCC напряжением 5,0 В. VPP 12,0 В не требуется для операций записи или стирания. Устройство также можно запрограммировать в стандартных программаторах EPROM.
Это устройство изготовлено с использованием 0,32-мкм технологического процесса AMD и обладает всеми функциями и преимуществами Am29F400, который был изготовлен с использованием 0,5-мкм технологического процесса.
Стандартное устройство обеспечивает время доступа 45, 50, 55, 70, 90 и 120 нс, что позволяет высокоскоростным микропроцессорам работать без состояний ожидания. Чтобы исключить конфликты на шине, устройство имеет отдельные элементы управления включением микросхемы (CE#), включением записи (WE#) и включением вывода (OE#).
Устройству требуется только один источник питания 5,0 В для функций чтения и записи. Для операций программирования и стирания предусмотрено внутреннее генерируемое и регулируемое напряжение.
Устройство полностью совместимо с набором команд стандарта флэш-памяти JEDEC с одним источником питания. Команды записываются в регистр команд с использованием стандартных таймингов записи микропроцессора. Содержимое регистра служит входными данными для внутреннего конечного автомата, который управляет схемами стирания и программирования. Циклы записи также внутренне фиксируют адреса и данные, необходимые для операций программирования и стирания. Чтение данных из устройства аналогично чтению из других устройств Flash или EPROM.
Программирование устройства происходит путем выполнения последовательности команд программы. Это запускает алгоритм встроенной программы — внутренний алгоритм, который автоматически рассчитывает ширину импульса программы и проверяет правильность границы ячейки.
Удаление устройства