Описание
G40N60UFD — это высоковольтное коммутационное устройство с МОП-затвором, сочетающее в себе лучшие характеристики МОП-транзистора и биполярного транзистора. Это устройство имеет высокий входной импеданс МОП-транзистора и низкие потери проводимости в открытом состоянии, как биполярный транзистор.
Гораздо меньшее падение напряжения во включенном состоянии варьируется лишь умеренно в диапазоне от 25 ℃ до 150 ℃. Этот IGBT идеально подходит для многих приложений переключения высокого напряжения, работающих на высоких частотах, где важны низкие потери проводимости. Это устройство оптимизировано для высокочастотных импульсных источников питания.
Функции
● Работа на частоте 100 кГц при напряжении 390 В, 40 А.
● Работа на частоте 200 кГц при напряжении 390 В, 20 А.
● Возможность переключения SOA на 600 В.
● Типичное время спада....55 нс при TJ = 125℃.
● Низкие потери проводимости.