Атрибуты продукта
Описание: K4D263238D-QC50 представляет собой CMOS DRAM с объемом памяти 256 МБ. Он изготовлен по 50-нм техпроцессу Samsung и имеет 100-контактный четырехъядерный плоский корпус (QFP). Особенности: - Объем памяти 256 Мбит - Время доступа к быстрому страничному режиму 10 нс - Время тактового цикла 10 нс - Длина пакета 4 или 8 - Рабочее напряжение 2,6 В - Диапазон рабочих температур от -40 °C до 85 °C Применение : K4D263238D-QC50 подходит для использования в различных приложениях, включая цифровое мультимедиа, игровые консоли, ЖК-дисплеи и мобильные телефоны. (Только для справки)
ФУНКЦИИ
● Источник питания 2,5 В ± 5 %.
● Совместимые с SSTL_2 входы/выходы.
● Работа 4 банков
● Цикл MRS с программами адресных клавиш.
— Задержка чтения 3,4 (часы)
— Длина пакета (2, 4, 8 и полная страница)
— Тип пакета (последовательный и чередующийся)
● Полная длина пакета страниц только для последовательного типа пакета.
● Начальный адрес полного пакета страниц должен быть четным.
● Все входы, кроме данных и DM, опрашиваются по положительному фронту тактовой частоты системы.
● Дифференциальный тактовый вход.
● Никакая запись не прерывается функцией чтения.
● Транзакции ввода-вывода данных на обоих краях строба данных.
● DLL выравнивает переходы DQ и DQS с переходом Clock.
● Данные, выровненные по краям, и стробоскопический вывод данных.
● Данные, выровненные по центру, и ввод строба данных.
● DM только для маскировки записи.
● Автоматическое и самостоятельное обновление.
● Период обновления 32 мс (цикл 4K).
● 100-контактный корпус TQFP.
● Максимальная тактовая частота до 250 МГц.
● Максимальная скорость передачи данных до 500 Мбит/с.
ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
ДЛЯ 1M x 32 бит x 4 банка DDR SDRAM
K4D263238D — это динамическое ОЗУ с гиперсинхронной скоростью передачи данных 134 217 728 бит, организованное как 4 x 1 048 576 слов по 32 бита, изготовленное с использованием высокопроизводительной технологии CMOS от SAMSUNG. Синхронные функции с Data Strobe обеспечивают чрезвычайно высокую производительность до 2,0 ГБ/с/чип. Транзакции ввода-вывода возможны на обоих фронтах тактового цикла. Диапазон рабочих частот, программируемая длина пакета и программируемые задержки позволяют устройству быть полезным для различных приложений высокопроизводительной системы памяти.
