Атрибуты продукта
Описание: GT35J321 — кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN производства Toshiba. Особенности: - Высокий коэффициент усиления по постоянному току - Высокое напряжение пробоя - Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер - Высокая частота перехода Применение: - Усилитель звуковой частоты - Усилитель высокой частоты - Коммутационные приложения (только для справки)
Приложения для переключения резонансных инверторов тока IGBT четвертого поколения
● Режим улучшения.
● Высокая скорость: tf = 0,19 мкс (тип.) (IC = 50 А)
● Низкое напряжение насыщения: VCE (сб) = 1,9 В (тип.) (IC = 50 А).
● FRD включен между эмиттером и коллектором.
● Название пакета Toshiba: TO-3P(N)IS.
