024-РАЗРЯДНАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМ
Fujitsu MBM 2212 - это 1024-разрядная энергонезависимая статическая оперативная память (NVRAM), объединяющая 1024-разрядную статическую оперативную память (SRAM) и электрически стираемую программируемую память только для чтения (EEPROM) на одном кристалле. Он предназначен для таких приложений, как системный потенциометр или электрический выключатель, для запоминания состояния системы и т.д.
MBM 2212 организован в виде 256 слов по 4 бита. Каждое слово состоит из пары ячеек SRAM и EEPROM. Операции чтения и записи выполняются в ячейке SRAM. Передача данных между SRAM и EPROM осуществляется с помощью двух управляющих контактов. Режим сохранения (передача данных из оперативной памяти в EEPROM) выполняется при подаче одного импульса на ST-контакт в течение 10 мс. Режим возврата (передача данных EEPROM в SRAM) выполняется с помощью одного импульса, подаваемого на вывод RC, за 1,2 мкс. Операции сохранения и возврата завершаются по всем битам одновременно.
MBM 2212 изготовлен с использованием технологии кремниевых затворов N-MOS с ячейками с плавающим затвором. Одиночное питание + 5 В и операции на уровне ввода /вывода TTL значительно упрощают применение микропроцессоров.
● 256 слов в 4-разрядной организации, полностью декодированные
● автоматическое сохранение данных по таймеру 10 мс
● 10 лет хранения данных для каждого хранилища
● Неограниченный срок службы для отзыва
● TTL-совместимые входы / выходы
● Трехфазный выход
● Защита от записи при включении / выключении питания и импульсных перенапряжениях
● Низкое энергопотребление :
Активная: не более 330 МВт
В режиме ожидания: не более 165 МВт
● Быстрое время доступа :
не более 200 нс (MBM 2212-20)
не более 250 нс (MBM 2212-25)
● Стандартная 18-контактная КЕРАМИЧЕСКАЯ DIP-упаковка: Суффикс-Z
● Стандартная 18-контактная ПЛАСТИКОВАЯ DIP-упаковка: Суффикс-P
● Pin-код, совместимый с Xicor X2212