Описание
● Технология траншейного затвора и тонких пластин (серия G6H-II)
● Низкое напряжение насыщения коллектора к эмиттеру: VCE (sat)= 1,4 В тип
● Высокая скорость переключения: тип tr= 100 нс, тип tf= 180 нс
● Низкий ток утечки: ICES= 1mAmax
● Встроенный диод быстрого восстановления: тип VF= 1,4 В, тип trr= 23 нс