Низковольтные сегнетоэлектрические полевые транзисторы с ультратонким нитридом алюминия скандия и двумерными каналами
В статье представлены исследования ферроэлектрических полевых транзисторов (FeFET) с однослойными каналами MoS2, изготовленными на ультратонких плёнках ферроэлектрического алюмоскандиевого нитрида (AlScN). Уменьшение толщины ферроэлектрической плёнки позволяет снизить напряжение, необходимое для переключения проводимости устройств, что обеспечивает работу при низких напряжениях. Для улучшения производительности устройств необходимо провести дальнейшую оптимизацию, чтобы повысить соотношение ON/OFF при нулевом напряжении на затворе и одновременно уменьшить коэрцитивное поле ультратонких плёнок.
arXiv: 2504.07271
