В новой памяти применяется ферроэлектрический материал, что позволяет избежать необходимости в периодической подзарядке. Новая память DRAM+ вскоре поступит в производство, объединив преимущества DRAM и SSD. Немецкие компании FMC и Neumonda объявили о начале совместного проекта по созданию этой инновационной энергонезависимой памяти на основе ферроэлектрического гафния (HfO₂), пишет Tomshardware. Технология DRAM+ обещает высокую скорость работы, как у DRAM, и низкое энергопотребление, как у SSD, при этом она сможет сохранять данные даже без источника питания. В отличие от традиционной DRAM, где используются конденсаторы, в новой памяти применяется ферроэлектрический материал, что позволяет избежать необходимости в периодической подзарядке. Ранее подобные технологии разрабатывались на основе PZT (цирконата-титаната свинца), но сталкивались с проблемами масштабирования и массового производства. HfO₂ устраняет эти недостатки: он совместим с современными производственными процессами и позво