Ferroelectric Memory Co. и Neumonda решили вернуть производство оперативной памяти в Германию — но в новом формате. Вместо классической DRAM они делают ставку на энергонезависимую DRAM+, которая сохраняет данные даже без питания. Ключ к технологии — диоксид гафния (HfO₂), способный работать в современных техпроцессах и обеспечивать высокую плотность и скорость. В отличие от старой FeRAM, которая ограничивалась мегабайтами, DRAM+ на базе HfO₂ может масштабироваться потенциально в диапазоне от гигабита до гигабайта, приближая его к DRAM. Neumonda обеспечивает тестирование новых чипов с помощью собственных платформ, позволяя быстрее и дешевле проверять память на надёжность.
Ferroelectric Memory Co. и Neumonda решили вернуть производство оперативной памяти в Германию — но в новом формате. Вместо классической DRAM они делают ставку на энергонезависимую DRAM+, которая сохраняет данные даже без питания.
Ключ к технологии — диоксид гафния (HfO₂), способный работать в современных техпроцессах и обеспечивать высокую плотность и скорость. В отличие от старой FeRAM, которая ограничивалась мегабайтами, DRAM+ на базе HfO₂ может масштабироваться потенциально в диапазоне от гигабита до гигабайта, приближая его к DRAM.
Neumonda обеспечивает тестирование новых чипов с помощью собственных платформ, позволяя быстрее и дешевле проверять память на надёжность.
