В Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» разработали отечественный прототип полевого транзистора на основе карбида кремния (SiC) на 1,7 кВ
Альтернативой кремнию как материалу электронной компонентной базы считают карбид кремния, который способен работать при более высоких температурах и напряжениях без потери электрических свойств
Это делает его перспективным для использования в силовой электронике, например в инверторах и преобразователях энергии
Однако широкое применение карбида кремния требует не только наличия воспроизводимых технологий его синтеза, но и разработки новых тополого-технологических решений
До недавнего времени потребности России в карбидокремниевых транзисторах практически полностью закрывались за счет продукции иностранных производителей. Поэтому наша разработка — важный этап на пути обеспечения технологического суверенитета нашей страны в сфере современных ключевых электронных компонентов
На основе этой технологии могут быть созданы новые компьютеры, планшеты, беспилотники, медоборудование, мобильные телефоны и прочее, рассказали изданию ученые
Созданный в ЛЭТИ прототип SiC-транзистора внешне мало отличается от аналогичных устройств других производителей
В то же время разработанные оригинальные топология и технологический маршрут изготовления транзистора легко могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий
@imaxai Подписаться
