Атрибуты продукта
Описание: GT50J325 — кремниевый NPN-транзистор высокой мощности производства Toshiba. Характеристики: Высокое напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = 500 В Высокий ток коллектора: IC = 5 А Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: VCE(sat) = 0,5 В Высокая частота: fT = 30 МГц Низкий коэффициент шума: NF = 1,5 дБ Применение: GT50J325 подходит для использования в усилителях мощности звука, устройствах переключения высокой мощности и других устройствах высокой мощности. (Только для справки)
● 4-е поколение
● Режим улучшения
● Быстрое переключение (FS): Рабочая частота до 50 кГц (эталонная).
● Высокая скорость: tf = 0,05 мкс (тип.)
● Низкие потери переключения: Eon = 1,30 мДж (тип.).
: Eoff = 1,34 мДж (тип.)
● Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщенный) = 2,0 В (тип.).
● FRD включен между эмиттером и коллектором.