особенности
● Эпитаксиальный кремний PNP, плоская конструкция
● Напряжение коллектор-эмиттер VCE = -40 В
● Ток коллектора IC =-600 мА
● Дополнительное устройство (NPN): 2N
особенности
● Эпитаксиальный кремний PNP, плоская конструкция
● Напряжение коллектор-эмиттер VCE = -40 В
● Ток коллектора IC =-600 мА
● Дополнительное устройство (NPN): 2N
