● Передовая технологическая технология
● Сверхнизкое сопротивление включению
● Динамический номинал dv/dt
● Рабочая температура 175℃
● Быстрое переключение
● Полностью лавинообразный режим
Описание
Усовершенствованные силовые МОП-транзисторы HEXFET от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые МОП-транзисторы HEXFET, обеспечивает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в широком спектре применений.
Корпус TO-220 является универсально предпочтительным для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому внедрению в промышленности.
