IBM продемонстрировала на конференции IEDM нанолистовой транзистор, который показывает значительное улучшение производительности при температуре кипения азота. Это открывает новые возможности для создания чипов, работающих с высокой производительностью при охлаждении жидким азотом. Нанолистовые транзисторы являются следующим шагом в эволюции после FinFET и ожидается, что они будут использованы в процессорах класса 2 нм. Устройства на основе нанолистовых транзисторов демонстрируют увеличение производительности благодаря снижению мощности и увеличению чувствительности между включенным и выключенным состояниями. Охлаждение также позволяет устройствам потреблять меньше энергии при переключении между состояниями. Однако у IBM есть техническая проблема с пороговым напряжением транзистора, которую им предстоит решить.
