На Международной конференции по электронным устройствам IEEE 2023 года корпорация IBM представила концепцию нанопластинчатого транзистора, который продемонстрировал повышение производительности, близкое к 100%, при использовании жидкого азота. Применение данного типа транзисторов потенциально открывает новые возможности для разработки высокопроизводительных чипов, которые достигают максимальной эффективности при охлаждении LN2. Это может привести к созданию нового поколения ускорителей искусственного интеллекта для высокопроизводительных вычислений (HPC) и разработке новых систем охлаждения для центров обработки данных.
Нанопластинчатые транзисторы являются более совершенным типом полупроводниковых устройств по сравнению с FinFET и могут достичь своих технических пределов на узлах класса 2 нм. При работе на температуре 77 Кельвинов, нанопластинчатое устройство IBM показало практически удвоенную производительность благодаря более эффективной передаче носителей заряда, что приводит к снижению энергопотребления. Благодаря снижению энергопотребления, устройства с меньшими размерами могут обеспечивать более высокую энергоэффективность. Охлаждение улучшает чувствительность устройства и требует меньшей мощности для переключения между состояниями, в результате чего энергопотребление уменьшается.
