Intel продемонстрировала на конференции IEDM свои последние достижения в области разработки и производства транзисторов. Одним из них является 3D-интеграция транзисторов, основанная на укладке комплементарных полевых транзисторов (CFET) с увеличенным шагом затвора. Это позволяет повысить плотность интеграции и увеличить производительность. Компания также представила технологию RibbonFET - новую архитектуру транзисторов, использующую лентообразные каналы, благодаря чему можно лучше контролировать и увеличивать управляющий ток на всех уровнях напряжения. Отмечается, что ширина каналов нановолокон можно изменять в зависимости от области применения, что обеспечивает более эффективное использование мощности. Кроме того, Intel заявила о готовности своей технологии PowerVia к производству. PowerVia представляет собой новую структуру питания, которая позволяет эффективно управлять питанием и не загораживать сигнальные провода. Наконец, Intel продемонстрировала интеграцию кремния и GaN, а также представила двухмерные канальные материалы на основе дихалькогенидов переходных металлов (TMD), которые обеспечивают возможность масштабирования затвора транзисторов до уровня менее 10 нм. Все эти разработки направлены на дальнейшее увеличение плотности и производительности транзисторов.
