В частности, была продемонстрирована 3D-интеграция транзисторов с использованием CFET технологии, которая позволяет создавать более тонкие каналы затвора и повышать плотность транзисторов.
Также была представлена новая транзисторная архитектура RibbonFET, обеспечивающая лучшее управление и более высокий ток возбуждения при всех уровнях напряжения. Компания также объявила о готовности своей технологии PowerVia, которая изменяет структуру подачи питания транзистора для более эффективного управления питанием и сохранения сигнальных проводов.
Intel также представила интеграцию кремния и GaN для подачи питания, разработав решение DrGaN, которое обеспечивает высокую производительность и соответствует требованиям будущих вычислительных систем. Наконец, компания представила прототипы материалов на основе дихалькогенида переходных металлов, обеспечивающих масштабирование при размере затвора менее 10 нм. Они также продемонстрировали первый в мире 2D TMD PMOS-транзистор с универсальным затвором и первый в мире 2D PMOS-транзистор, изготовленный на 300-миллиметровой пластине для повышения плотности транзисторов.