AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4. В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS -5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии. Основные параметры SiC MOSFET A2G100N1700MT4: Применение транзистора A2G100N1700MT4: Преимущества транзистора A2G100N1700MT4:
AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4.
В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS -5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.
Основные параметры SiC MOSFET A2G100N1700MT4:
- напряжение сток-исток: 1700 В
- ток (при 25°C): 100 A
- Rds(On): 25 мОм
- управляющее напряжение затвор-исток: -5/+18 В
- тип корпуса: TO-247-4
- суммарный заряд затвора: 168 нКл
- максимальная температура перехода: 175 °C
- выходная ёмкость: 198 пФ
- рассеиваемая мощность: 484 Вт
Применение транзистора A2G100N1700MT4:
- тяговые преобразователи электромобилей
- высоковольтные DC/DC преобразователи
- импульсные источники питания
- инверторы солнечных батарей
- зарядные устройства электромобилей
Преимущества транзистора A2G100N1700MT4:
- повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
- позволяет работать на высокой частоте переключения
- улучшает плотность мощности на уровне системы
- уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
- простота параллельного соединения и управления