В США открыто говорят о том, что главная задача санкций заключалась в обрушении российской экономики. Достичь этого не удалось, но в руках у американцев остались и другие козыри, которыми в Белом доме обязательно воспользуются. Речь идёт о создании сложностей для доступа к технологиям. Сегодня проблема в российской отрасли решается за счёт Китая и других стран, но в Вашингтоне обсуждают инициативы, направленные против тех, кто препятствует санкциям, а торговая война с Поднебесной уже привела к значительным потерям в китайской полупроводниковой отрасли. Российское правительство планирует потратить на возрождение российских технологий немалые суммы, а особое внимание уделяется современным материалам, без которых создать чип не удастся. Проводятся научные разработки, а благодаря научному сообществу РФ появляются аналоги материалам, которые стали недоступны для российских компаний на мировом рынке.
При этом иногда процесс идёт в штатном режиме, а бывают и настоящие открытия. Как стало известно, специалисты из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») и Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) разработали и провели первые тесты нового материала для оптоэлектроники, который не только имеет выдающиеся характеристики, но и отличается улучшенной экологичностью. Оказывается, новая полупроводниковая наноструктура, которая используется для производства фотоприемников и излучателях инфракрасного спектра, обладает минимальным воздействием на окружающую природу. Причина в том, что при производстве не используется ртуть и мышьяк, а команда учёных уверяет, что новый материал обладает высокой эффективностью и может быть использован в самых разных сегментах, связанных с производством электроники.
Специалисты отмечают, что цель исследования заключалась в создании новых полупроводниковых материалов для массового производства оптоэлектронных компонентов, что позволило бы не только решить проблему импортозамещения, но и добиться прорыва на данном направлении. Результаты исследования были опубликованы в научном журнале Materials Today Physics, а сама разработка проводилась при поддержке со стороны Российского научного фонда (РНФ). Информацию подтвердил доцента кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Дмитрий Фирсов указывает на важность разработки и преимущества по сравнению с существующими аналогами. По его словам, существует реальная возможность внедрения в интегральные оптоэлектронные схемы, а отсутствие в технологии производства ртути и мышьяка считается инновацией и ранее не применялось другими командами учёных. Что до уникальных качеств нового материала, то они определяются комбинацией кремния, германия и олова. При этом использование недорогой кремниевой подложки делает процесс синтеза более экономически эффективным.
Учёный поясняет, что гетероструктуры, основанные на указанных выше элементах, были созданы с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Он заключается в росте упорядоченных слоистых структур в условиях вакуума. Затем, с помощью травления, на этих пластинах формировались фотонные кристаллы, способные преобразовывать электрический сигнал в оптический и обратно. Команда исследователей уже провела тестирование материала с помощью специального оборудования. Результаты показали, что созданные фотоприёмные структуры успешно генерируют и обнаруживают инфракрасное излучение в спектральной области, недоступной для традиционной кремниевой электроники. Возможности применения этой технологии заключаются в использовании доступных и экологичных материалов, а также в широко распространённых производственных методах. Это позволяет быстро внедрить данную технологию в промышленное производство. Уже в ближайшее время новые фотоприемники могут быть использованы в оптических системах передачи информации, тепловизорах, газоанализаторах и других сенсорах. На данный момент ведётся разработка устройств на основе новых структур.