Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова приступил к разработке новой технологии для производства фотоприемников. Заказчиком данного проекта выступает Зеленоградский нанотехнологический центр. Российский научный фонд выделил средства для поддержки данного проекта. Основной целью разработки является создание технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin-диодов длиной волны 1,31 мкм. Разработка данной технологии будет занимать около двух лет. Финансирование проекта оценивается в 60 млн рублей. Фотонная интегральная схема, которая будет создана с использованием разработанной технологии, будет состоять из лазера, фотоприемника и электронных компонентов. Важно отметить, что Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе будет отвечать за создание лазера, а полупроводниковый материал для фотоприемника разрабатывается ИФП СО РАН. Завершающим этапом разработки фотонной интегральной схемы будет заниматься АО "ЗНТЦ". Они возьмут на себя задачу сборки и тест
ИФП разработает технологию для фотоприемников Зеленоградского нанотехнологического центра.
21 ноября 202321 ноя 2023
1610
1 мин