Уважаемые коллеги, доброго времени суток! Мы начинаем обзор изданий в области Атомной, молекулярной физики и оптики. Сегодня хотим представить вашему вниманию китайское научное издание Opto-Electronic Advances. Журнал имеет первый квартиль, издаётся в Chinese Academy of Sciences, находится в открытом доступе, его SJR за 2022 г. равен 2,913, электронный ISSN - 2096-4579, предметные области - Атомная и молекулярная физика, оптика, Электротехника и электроника, Электронные, оптические и магнитные материалы, Поверхности, покрытия и пленки. Вот так выглядит обложка:
Редактором является Хианганг Луо, контактные данные - lxg@ioe.ac.cn, oea@ioe.ac.cn.
Журнал призван обеспечить платформу для исследователей, академиков, профессионалов, практиков и студентов для передачи знаний в форме высококачественных эмпирических и теоретических исследовательских работ, охватывающих широкую область оптики, фотоники и оптоэлектроники. OEA фокусируется на быстрых и инновационных результатах, ее основные темы включают:
- Источники света и датчики;
- Оптоэлектроника;
- Нанофотоника;
- Плазмоника и метаматериалы;
- Передовые оптические материалы;
- Оптическая визуализация;
- Биофотоника и биомедицинская оптика;
- Нелинейная оптика и сверхбыстрая фотоника;
- Оптические коммуникации;
- Фотовольтаика.
Адрес издания - https://www.oejournal.org/oea
Пример статьи, название - Ferroelectrically modulate the Fermi level of graphene oxide to enhance SERS response. Заголовок (Abstract) - Surface-enhanced Raman scattering (SERS) substrates based on chemical mechanism (CM) have received widespread attentions for the stable and repeatable signal output due to their excellent chemical stability, uniform molecular adsorption and controllable molecular orientation. However, it remains huge challenges to achieve the optimal SERS signal for diverse molecules with different band structures on the same substrate. Herein, we demonstrate a graphene oxide (GO) energy band regulation strategy through ferroelectric polarization to facilitate the charge transfer process for improving SERS activity. The Fermi level (Ef) of GO can be flexibly manipulated by adjusting the ferroelectric polarization direction or the temperature of the ferroelectric substrate. Experimentally, kelvin probe force microscopy (KPFM) is employed to quantitatively analyze the Ef of GO. Theoretically, the density functional theory calculations are also performed to verify the proposed modulation mechanism. Consequently, the SERS response of probe molecules with different band structures (R6G, CV, MB, PNTP) can be improved through polarization direction or temperature changes without the necessity to redesign the SERS substrate. This work provides a novel insight into the SERS substrate design based on CM and is expected to be applied to other two-dimensional materials.
Keywords: surface-enhanced Raman scattering (SERS) / ferroelectric PMN-PT /
graphene oxide (GO) / photo-induced charge transfer (PICT)