Привет! Не сильно удивляйтесь - я сам удивлён. Как только не называют транзисторы Авторы-Блогеры (наверное для смеха). Вот давеча и увидели такое странное название на развалинах разумной сети "Интырнет" - "IGBT транзистор. Как устроен самый мощный транзистор" , а на заставке было так: IGBT ТРАНЗИСТОР - ФРАНКЕНШТЕЙН
Ух-ты подумал я - что то новенькое - надо поискать инфу и ...фу, как я был разочарован. IGBT ТРАНЗИСТОР конечно существует, о нем немного ниже, а вот никаких ТРАНЗИСТОР - ФРАНКЕНШТЕЙНов я так и не нашел. Ну конечно монстра ФРАНКЕНШТЕЙНа я помню
а вот к транзисторам и тем более к IGBT он (монстр) никакого отношения не имеет. Или я чего не знаю .... ?
ПОЧЕМУ IGBT НАЗВАЛИ "Самый мощный" и "ФРАНКЕНШТЕЙН" ?
Я не знаю, но буду разбираться!
Начнем с обычного прочтения транзисторного писания (это могут все =)
Ну тут всё понятно - Есть Е - Эмиттер, С - Коллектор, G - Затвор (Ворота/База)
И если перевести с зарубежного на человечачий язык IGBT это биполярный транзистор с изолированным затвором.
Вы на эквивалентную схему можете особо не смотреть, она ну не очень хороша по понятиям. ИГБТ сделан по подобию тех транзисторов , что раньше применялись в силовых оптопарах, а сегодня остались в виде мелких фототранзисторов в мышках и релейных схемах коммутации.
ОСНОВНОЕ ПРИМЕНЕНИЕ IGBT ЭТО СИЛОВЫЕ ЦЕПИ
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет, по сравнению с тиристорными устройствами, обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.
И вот тут придется согласиться, что "Специально разработанные транзисторы для силовых цепей будут конечно самыми мощными !!!" Ура товарищи!
У этих ИГБТ даже корпуса как у твердотельных реле - коробочки с клеммами.
Поковыряв немножечко статьи , я таки нашел схему которая вам, мои разлюбезные, будет весьма понятна и приятна
Как видите, в данном случае сочетание (составной транзистор) полевого с изолированным затвором транзистора и биполярника, моделирует этот самый IGBT ТРАНЗИСТОР - ФРАНКЕНШТЕЙН.
IGBT ТРАНЗИСТОР сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от полевых транзисторов с изолированным затвором; низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии — от биполярных транзисторов; малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях; характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
IGBT управление как у MOSFET — напряжением.
Диапазон использования — от десятков до 1200 ампер по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков ампер и напряжений до примерно 500 В.
А вот что пишут про то что стоит знать: "Целесообразно применение обычных МОП- (МДП-) транзисторов, а не БТИЗ, так как при низких напряжениях полевые транзисторы обладают меньшим сопротивлением."
В общем коротко и ясно про IGBT ТРАНЗИСТОР слава Ому мы прочитали, а вот про Франкенштейна .... это тайна парадокса однако, НО чтобы приколоться, надо снять ролик про .... ой ржу не магу ... =)
Улыбайтесь!
Ведь Только с серьезным выражением лица в этом мире творятся всякие гадости!