Найти тему
OVERCLOCKERS.RU

Samsung разрабатывает чипы DDR5 емкостью 32 ГБ выполненные по 12-нм техпроцессу

Новые пакеты DDR5 позволят Samsung создавать 128-гигабайтные модули DIMM без необходимости объединять оперативную память со сквозными полупроводниковыми переходными отверстиями (TSV). По данным Samsung, это приведет к значительному снижению производственных затрат, а также к небольшому снижению энергопотребления - примерно на 10%. Новые 128-гигабайтные модули DIMM должны работать на ПК, а это означает, что вы можете разместить полтерабайта оперативной памяти в системе Ryzen или Core.

О скорости новых микросхем не упоминается, но этого и следовало ожидать. Основное внимание в этих компонентах явно уделяется объему. Большинство существующих микросхем DDR5 DRAM от Samsung будут работать со скоростью 6400 МТ/с или выше, что уже намного быстрее, чем любой официально поддерживаемый модуль типичных систем Intel или AMD.

-2

А как насчет модулей емкостью 1 ТБ? На самом деле Samsung уже производит модули DDR5 емкостью 512 ГБ. Конечно это RDIMM, поэтому вы не можете использовать их в Wintendo. Чипы DRAM двойной плотности позволят компании производить модули DDR5 RDIMM емкостью 1 ТБ. Они не будут особо быстрыми и уж точно не будут дешевыми, но если вам позарез нужно получить 16 ТБ ОЗУ в однопроцессорной системе EPYC, это действительно будет возможно.

Корейская компания начала производство 16-Гбитных DDR5 DRAM только в марте, так что пройдет немного времени, прежде чем эти 32-Гбитные компоненты пойдут в массовое производство. Samsung заявляет, что мы можем ожидать этого к концу года, поэтому возможно в следующем году мы будем рекомендовать парные 16 ГБ модули в качестве базовой конфигурации для новых сборок системы.