SK Hynix недавно объявила о разработке памяти HBM3E - нового поколения высокоскоростной оперативной памяти DRAM для высокопроизводительных вычислений, особенно в области искусственного интеллекта. По словам компании, эта память является самой мощной в мире и в настоящее время находится в стадии тестирования с клиентами SK Hynix.
HBM (High Bandwidth Memory) - это высокоскоростная память, состоящая из нескольких вертикально стыкуемых чипов DRAM, которая обеспечивает значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с традиционными чипами DRAM. HBM3E является улучшенной версией памяти пятого поколения HBM3, заменяющей предыдущие поколения, такие как HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.
SK Hynix подчеркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании в качестве единственного массового производителя HBM3. Серийное производство HBM3E планируется начать в первой половине следующего года, что еще больше укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для искусственного интеллекта.
По словам SK Hynix, новая память HBM3E не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам в терминах скорости, ключевого параметра для задач искусственного интеллекта, но также в других категориях, включая емкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 терабайта в секунду (Тб/с), что эквивалентно передаче более 230 фильмов в формате Full HD размером по 5 гигабайт каждый в секунду.
Более того, HBM3E имеет улучшенную на 10% емкость для отвода тепла благодаря применению передовой технологии Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволяет использовать ее в существующих ускорителях, разработанных для HBM3.
"Мы сотрудничаем с SK Hynix по поводу решений высокой пропускной способности памяти для передовых решений ускоренных вычислений. Мы с нетерпением ждем продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для следующего поколения вычислений искусственного интеллекта", - сказал Иан Бак, вице-президент HyperScale и высокопроизводительных вычислений в NVIDIA.
Сынгсу Рю, руководитель отдела планирования продукции DRAM в SK Hynix, подчеркнул, что компания укрепила свою позицию на рынке, расширив свою линейку продукции HBM, которая является ключевой для развития технологии искусственного интеллекта.