Samsung Electronics планирует выпустить 9-е поколение флэш-памяти V-NAND в следующем году. В новом поколении будет использоваться двухслойная стековая архитектура с более чем 300 слоями. Однако, существуют и другие способы увеличения плотности хранения данных кроме увеличения числа слоев.
В настоящее время уже доступна флэш-память 3D NAND с 4-битовыми ячейками (QLC), что сделало твердотельные накопители более доступными.
Несмотря на то, что стоимость твердотельных накопителей растет, несколько крупных производителей уже начали разработку следующего поколения устройств памяти на основе 5-битных ячеек (PLC).
На саммите FMS 2023 Flash Summit компания SK Hynix продемонстрировала результаты применения своей новой технологии PLC (5-Bit MLC). Эта технология похожа на технологию Twin BiCS FLASH, разработанную компанией Armour Man в 2019 году. Однако, в новой технологии используются две 2,5-битные ячейки, что позволяет существенно увеличить скорость двухпоточной записи. В 5-битной ячейке память может содержать 32 различных пороговых напряжения, но время, необходимое для записи и проверки всех 32 напряжений с помощью обычного способа PLC, почти в 20 раз больше, чем время записи в TLC, что неудобно для пользователей.
Поэтому компания SK Hynix разработала новый тип PLC, который разделен на две 2,5-битные ячейки, каждая из которых хранит 2,5 бита, и затем объединяет данные из этих ячеек, обеспечивая запись 5-битных данных примерно за то же время, что и TLC.
