Выбор оперативной памяти из ассортимента комплектующих представляет собой настоящий изобилие: доступны различные объемы, широкий спектр частот и временных характеристик, а также разнообразные цветовые вариации. Однако, важно отметить, что незаметно на первый взгляд комплект памяти может иметь значительно более высокую цену, чем его более яркий аналог с красочными радиаторами и цветными LED подсветками. Пользователь, которому не столь существенна гонка за абсолютной производительностью, скорее всего, предпочтет приобрести второй вариант. Однако, истинный знаток осознает, что внешний облик здесь не самое важное.
Давайте разберемся, почему схожие комплекты оперативной памяти могут значительно отличаться по стоимости. Какие характеристики играют роль в позиционировании различных версий памяти? Какие возможности предоставляют различные типы микросхем и как избежать выбора памяти с низкими техническими характеристиками.
Современный этап производства кремниевых микросхем достиг таких высот, что процесс отбраковки компонентов больше не является критической проблемой. Отбракованные элементы, наравне с другой продукцией, поступают на рынок в рамках бюджетного сегмента. Кроме того, стандарты контроля качества электронных компонентов становятся все более строгими. Заводы готовы предоставить продукцию более высокого качества в случае необходимости или же подстроиться под запросы по объемам производства. Большое разнообразие доступных микросхем на рынке является наглядным подтверждением этого факта.
В первом сценарии чипы обладают одним и тем же обозначением, но демонстрируют некоторое разнообразие в качестве, что порой называется везением. Это означает, что, независимо от архитектуры чипа и его структуры, микросхема обладает определенным набором характеристик, зависящих от качества используемого сырья, условий производства и успешности интеграции транзисторов. Подобно процессу приготовления торта, где рецепт одинаковый, но результат варьируется в зависимости от качества ингредиентов и опыта пекаря.
Во втором случае микросхемы полностью отличаются по характеристикам и имеют разнообразные наименования, такие как B-die, E-die и многие другие. Этот феномен называется степпингом — категорией, которая существенно влияет на базовые характеристики чипа. Следовательно, чем выше качество и степпинг, тем меньше влияние случайных факторов на результат. Это, в свою очередь, сказывается на стоимости как самих чипов, так и готовых продуктов.
Почему так много разнообразных чипов? Производство чипов для оперативной памяти осуществляется тремя основными компаниями: Samsung, Micron и Hynix. Их микросхемы используются в модулях от различных производителей. У каждой марки существует несколько уровней качества: некоторые чипы предназначены только для внутреннего использования или поставляются в ОЕМ-сектор, тогда как другие попадают на открытый рынок и входят в комплектации конечных продуктов. Именно эти "публичные" чипы чаще всего подвергаются классификации по степпингам, чтобы выделить наилучшие варианты и достичь максимальной производительности системы благодаря правильной настройке оперативной памяти.
Samsung
Пионеры на рынке микросхем достигли славы благодаря успешной архитектуре B-die, производство которой завершилось в 2019 году, однако она по-прежнему пользуется высоким спросом. Компания также выпускает разнообразные чипы, среди которых можно найти как стандартные, так и увлекательные вариации.
A-die. Armstrong
В последнее время этот степпинг чаще всего встречается в модулях с большим объемом памяти и практически всегда в "зеленых" вариантах, которые Samsung предлагает в ОЕМ-исполнении. Они лишены радиаторов и имеют зеленый текстолит. Эти чипы изготовлены по технологическому процессу 17 нм и обладают потенциалом для разгона, ранее не наблюдавшимся у модулей с 32 ГБ памяти. Для примера, два модуля по 32 ГБ могут устойчиво работать на частоте 3800 МГц с таймингами CL18 в системе с процессором Ryzen 5 3600. При этом напряжение составляет безопасные 1.35 В.
B-die. Boltzmann
Этот основной степпинг компании, изготовленный по технологическому процессу 20 нм, до недавнего времени был на переднем плане. В конце 2019 года Samsung объявила о прекращении его производства. В отличие от других степпингов, которые разрабатывались относительно недавно, данная ревизия демонстрирует значительный разброс в качестве (уровне удачности). B-die может как с трудом достигать стабильной работы на частоте 3600 МГц, так и спокойно функционировать на 4800 МГц. Оценить уровень удачности чипа можно с помощью маркировки в программных инструментах, таких как, например, Taiphoon Burner. Так, "выдающиеся" чипы помечаются как BCPB, в то время как более обыденные – как BCRC:
C-die. Pascal
Можно сказать, что это просто зеленые микросхемы. Они не являются весьма ценными в высокопроизводительных системах, но и не находятся в самом низком сегменте линейки. Чаще всего встречаются в бюджетных модулях памяти, будь то от Samsung или других производителей, как например, в линейке XPG, выпускаемой компанией Adata. Эти чипы изготовлены по технологическому процессу 18 нм и демонстрируют характеристики, соответствующие своей стоимости. Однако некоторые из них могут "выстрелить" и удивить своим потенциалом.
D-die. Armstrong
Схожий с A-die кодовый степпинг называется Armstrong. Оба изготавливаются с использованием технологического процесса 17 нм. Это не случайное совпадение: A-die позиционируются как передовые микросхемы для больших объемов памяти; вероятно, D-die также станет лидером, но уже в категории модулей емкостью 8-16 ГБ. Ключевым словом здесь является "станет". До недавнего времени эти чипы выпускались в качестве бюджетных компонентов для "зеленых" модулей, которые быстро раскупались OEM-производителями. Однако теперь, поскольку компания окончательно прекратила производство легендарных "бидай", D-die готовятся занять место в истории. Уже сейчас время от времени встречаются загадочные наборы оперативной памяти с чипами D-die, которые даже превосходят топовые B-die в плане возможности разгона. И такие модули способны достичь частоты 4300-4400 МГц при таймингах CL17.
E-die. Boltzmann
Samsung довольно сдержанно делится информацией о характеристиках своей продукции, и иногда подробные сведения о чипах становятся недоступными даже для специализированных программ. Единственное, что известно о E-die — это технологический процесс 20 нм и средний уровень потенциала разгона. Этот степпинг задуман как замена средне-качественных B-die в более доступных модулях памяти с уклоном во внешний вид. Совместно с поддерживающей разгон платформой, эти чипы способны достичь максимальных частот в диапазоне 3400-3800 МГц с таймингами CL18 и напряжением 1.4 Вольта.
M-die. Pascal
Эти микросхемы представляют собой аналогичные A-die по типу, однако имеют более низкое качество и изготавливаются по технологическому процессу 18 нм. В общем, семейство Pascal не обладает лестной репутацией среди пользователей, которым требуется большой объем памяти с высокой частотой и низкими таймингами. Модули с такими чипами демонстрируют невысокие результаты в диапазоне 3000-3200 МГц при относительно высоких таймингах. Можно рассматривать M-die как промежуточную модель и отправную точку для новых "плотных" A-die, которые способны уместить 32 ГБ в одном ранге. Если в модуле установлены микросхемы M-die, то стоит понимать, что превышение объема памяти более чем на 16 ГБ на один ранг и поиски интересных настроек могут оказаться неэффективными.
Micron
Известные зарубежные эксперты в области оверклокинга с некоторой неохотой принимаются за анализ ревизий микросхем памяти от этой компании. Все это обусловлено тем, что на рынке преимущественно присутствуют микросхемы B-die и E-die (не путать с аналогичными от Samsung), которые устанавливаются в модули собственного производства. Однако удачность этих микросхем варьируется настолько значительно от модуля к модулю, что порой они получают прозвище "mysterious" — загадочные.
Если у вас возникли проблемы с неисправностью телефона или видеочипом, не стоит беспокоиться. Вы можете обратиться в сервисный центр smobail.ru, где наши профессиональные специалисты помогут вам быстро и качественно решить данную проблему. Наш опыт и профессионализм позволят вам вернуть ваш устройство в рабочее состояние в кратчайшие сроки. Не теряйте время на поиски решения, просто свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы ваше устройство снова работало безупречно.
A-die. Первые массовые модули памяти DDR4 от Micron
Информации о данных микросхемах в сети довольно мало, и есть для этого объяснение: редкий чип этого поколения способен работать с частотами выше 2800 МГц. При этом двуранговая версия лишает пользователей возможности оверклокинга — в лучшем случае такие микросхемы могут стабильно функционировать на частоте 2400 МГц. Существует несколько типов: одноранговые — 4 ГБ, а также двуранговые — 4 ГБ и 8 ГБ. Более старые микросхемы этой линейки построены на технологическом процессе 30 нм, тогда как более новые модели созданы с использованием 25 нм. Однако, как и в случае любого степпинга, некоторые экземпляры способны превзойти ожидания и демонстрируют возможности разгона до 3800 МГц с довольно низкими таймингами. Следует учесть, что такие результаты достигаются только в одноканальном режиме, что, тем не менее, считается важным моментом.
B-die. Название не решает ничего
Сходство в названии — единственное, что объединяет их с легендарными чипами Samsung. Кроме этого внутри самих чипов нет ничего увлекательного. Недавно компания использовала их в собственных модулях памяти из серии Tactical — это качественные модули, но они практически не выходят за пределы XMP. Несмотря на то, что данная серия позиционируется как игровая, комплекты из двух планок по 4 ГБ обладают относительно скромным профилем XMP с частотой 3000 МГц, что является довольно низким значением для современных стандартов. При этом ручной разгон позволяет еле-еле достичь отметки в 3200 МГц при таймингах CL15. Это требует умелой настройки и вложений времени, а также множество экспериментов. Таким образом, даже усовершенствованный степпинг после A-die не смог повторить успех легендарных "бидаев". Это верно как для версии с технологическим процессом 25 нм, так и для более новой 20 нм версии:
D-die. Почти, но не совсем
Огромное количество наборов оперативной памяти с этими 20 нм микросхемами нацелено на бюджетный сегмент. В последние времена они часто встречаются в модулях Ballistix Sport LT, где последние буквы в номере модели обозначают "FSB". Следует отметить, что D-die не совсем лишены потенциала: их возможности напрямую зависят от уровня качества. Если они применяются в модулях с заводским профилем на частоте 3000 МГц и выше, то есть определенные перспективы для достижения 3600 МГц и даже 3800 МГц при правильной настройке. Тем не менее, на рынке существует ряд доступных вариантов, и в случае таких компонентов настройки могут быть менее оптимальными, даже в пределах стандартов JEDEC. Ключевая деталь состоит в том, что у Micron есть определенная линейка, куда направляются микросхемы, не прошедшие жесткий контроль качества. Эти компоненты маркируются как Spectek и используются в сборке самых доступных модулей — следовательно, ожидать выдающихся характеристик от них не стоит. В остальных аспектах, это средние по качеству микросхемы, которые иногда демонстрируют неплохой потенциал разгона.
E-die (H-die). Народный степпинг
Этот степпинг стал отправной точкой для установления новых рекордов в стандарте DDR4. В то время как остальные микросхемы либо не проявляли интереса к разгону, либо достигали лишь 3600 МГц, E-die стал настоящей легендой. С внедрением обновленного контроллера и эффективной логики чипсета Z370, Micron сумел выйти на частоту 4000 МГц и выше, хотя множество микросхем данного степпинга способны работать на еще более высоких частотах. Прежде E-die были распознаваемыми по буквенной комбинации "AES" в названиях модулей Ballistix Sport. Ныне они просто представлены как Crucial Ballistix Black или White. В настоящее время выбор микросхем подвергается строгой селекции, с лучшими экземплярами отводимыми под топовые модули памяти. В связи с этим важно обращать внимание на заводские настройки: чем выше их частота, тем лучше качество. Даже стандартные E-die, доступные на рынке, способны успешно работать на 3600-3800 МГц и значительно улучшать тайминги. Глобальный рекорд скорости для таких чипов составляет почти 6700 МГц — такое Samsung не может предложить. Стоит заслуженно ставить E-die на один уровень с хорошо известными B-die.
Hynix
Микросхемы данного производителя считаются среднего качества и часто встречаются в бюджетном сегменте. В основном это модули оперативной памяти с умеренной тактовой частотой и высокими таймингами. Среди дорогих наборов памяти также можно обнаружить продукцию от Hynix, но в данном случае цена в основном формируется внешним видом, а не внутренней электроникой. Тем не менее, как и другие чипмейкеры, Hynix поддерживает линейку различных степпингов, некоторые из которых способны успешно разгоняться на современных платформах.
AFR — MFR
Эти два варианта представляют собой начальный и наименее выдающийся аспекты DDR4. AFR построены с использованием технологического процесса 21 нм, который уже устарел. Тем более это относится к MFR, микросхемам, которые построены на транзисторах размером 25 нм. Эти чипы проявляли себя далеко не наилучшим образом в сочетании с первыми процессорами Ryzen, когда ни один модуль не мог превысить частоту 2900 МГц. С выпуском новых процессоров и обновлений AGESA ситуация немного улучшилась. Однако, несмотря на то что их вставляли даже в известные модели HyperX и некоторые модули G.Skill, печальная репутация все равно осталась. Например, владельцы новых модулей Trident могут быть разочарованы, обнаружив AFR или MFR вместо Samsung B-die. В целом, оба степпинга не слишком подходят для современных сборок.
CJR — DJR
Подобно предыдущим версиям, эти два степпинга сосуществуют на рынке памяти и обладают схожими характеристиками. Первый степпинг изготавливается с использованием 18-нм техпроцесса, а второй — 17-нм. Естественно, DJR представляет собой улучшенную версию CJR, в которой значительно повысили характеристики. Для новых ревизий этих чипов, работающих на частоте 4000 МГц с таймингами CL18, больше нет никаких проблем — это даже заложено в заводском XMP. В то же время, предыдущие версии CJR с трудом достигали 3800 МГц. В последние время Hynix внесли улучшения в свой техпроцесс и повысили качество своей продукции. Они также добились выдающихся результатов в снижении таймингов. За исключением выдающихся B-die от Samsung и особо подобранных чипов от Micron, DJR стали лучшим выбором по соотношению цены и качества, поддерживая разгон до 3466 МГц с таймингами CL14.
Другие степпинги
Внимательный читатель уже мог заметить, что далеко не все существующие степпинги были упомянуты подробно. Мы специально не стали перечислять все возможные варианты, так как большинство ревизий и версий существуют в единичных экземплярах и редко попадают в руки потребителей. К тому же, о них мало что известно, и рассказывать о них не имеет смысла.
Как выбрать подходящие чипы и как их определить Изучать все степпинги и их ревизии, конечно, интересно, но часто бывает сложно определить, какие именно чипы установлены в конкретном наборе памяти и как их распознать. Если поиск в интернете не приводит к результату, то остается полагаться только на себя. Впрочем, есть несколько хитростей, которые могут пригодиться.
Прежде всего, стоит обращать внимание на заводской разгон. Например, модули с заводской частотой 3600 МГц и первичными таймингами CL15 чаще всего используют B-die высокого качества. В то же время, модули с тактовой частотой 3600 МГц и CL16 могут содержать микросхемы Hynix или Samsung среднего уровня.
Во-вторых, по названию модулей можно выявить производителя чипов. Например, практически всегда память Crucial Ballistix базируется на микросхемах Micron, так как это продукция собственного производства компании. С другой стороны, модели Kingston в линейке HyperX часто используют микросхемы Hynix, но высокочастотные модели Predator обычно оборудованы чипами B-die. Таким образом, выбор можно подтверждать первым правилом: ориентироваться на данные в XMP.
В-третьих, рекомендуется просмотреть информацию на странице продукта в интернет-магазине и изучить отзывы от покупателей о конкретном комплекте памяти. Очень часто пользователи делятся своим опытом разгона и раскрывают, какие микросхемы были использованы в их экземплярах.
Какой степпинг предпочтительнее
Несмотря на то, что микросхемы могут иметь разные уровни качества и удачности, основные характеристики и функциональные возможности определяются степпингом. Исходя из коллективного опыта пользователей, можно упорядочить микросхемы всех производителей в порядке убывания их возможностей.
Важно осознавать, что буква в степпинге влияет не только на возможности разгона и настройки, но и на другие аспекты. Фактически, разгон — это индивидуальная характеристика каждой микросхемы в отдельности. Основной целью производителей является увеличение объема памяти, не ухудшая стабильность работы на стандартных параметрах JEDEC. В этом контексте компании в первую очередь стремятся оптимизировать расположение чипов, чтобы на одной площади могло поместиться больше эффективных транзисторов и, соответственно, больше данных. Затем начинается усилие по достижению высоких частот и улучшению таймингов.
Разнообразные требования к оперативной памяти оказывают влияние на процесс производства микросхем. Например, для создания памяти, способной надежно функционировать на высокой частоте, необходимо ориентироваться на один и тот же техпроцесс. В то время как для создания модулей с большим объемом приходится снижать скорость, что уже требует другой подход. В результате, производители вынуждены поддерживать различные степпинги и версии, чтобы адаптироваться к разнообразным потребностям рынка DRAM. К тому же к этому добавляется отбор по качеству, так что в будущем букв алфавита может уже и не хватить.