Как сообщает издание DigiTimes, южнокорейская корпорация Samsung планирует в 2024 году начать производство чипов флеш-памяти c 300+ слоями, что откроет путь к выпуску более скоростных и емких твердотельных накопителей. Известно, что архитектура новых чипов будет основываться на методе двойного стека, ранее применявшемся при производстве 176-слойной памяти – в данном случае это означает наслоение одного стека поверх первого. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, которые, по предварительным данным, начнут массово выпускаться в конце 2025 года, задействована архитектура тройного стека.
Если утекшие дорожные карты Samsung являются подлинными, то в будущем компания может использовать архитектуру тройного стека для создания 430-слойных чипов 3D NAND. Здесь стоит отметить, что в 2022 году представители Samsung заявили о стремлении добиться выхода на рынок 1000-слойной памяти к 2030 году. Как подчеркивают эксперты, использование в архитектуре дополнительного стека увеличивает затраты сырья и другие затраты, но позволяет добиться более высокого выхода годных чипов.