Micron была первой компанией, которая прошлой осенью представила чипы памяти DDR5 емкостью 24 ГБ, а также начала поставки модулей на их основе. Как оказалось, компания хочет сохранить лидерство и готовится к массовому производству микросхемы DDR5 емкостью 32 ГБ, а также модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года.
Монолитная микросхема Micron DDR5 емкостью 32 ГБ будет производиться по технологии производства Micron 1β, являющейся самым передовым производственным процессом компании, в котором не используется литография в экстремальном ультрафиолете. На данный момент Micron не раскрывает скорости передачи данных, которые она ожидает от своих 32-гигабайтных чипов, хотя, учитывая тот факт, что это будут микросхемы Micron DDR5 3-го поколения, ожидается, что они будут достаточно быстрыми.
Одна из вещей, которую современные технологии изготовления DRAM позволяют делать производителям памяти — это создавать устройства памяти большой емкости. После того как в прошлом году Micron построила свою 24-гигабайтную микросхему памяти на своем техпроцессе 1α, для компании было логично перейти к 32-гигабайтному устройству с техпроцессом 1β.
Микросхемы DDR5 DRAM объемом 32 ГБ будут особенно полезны для модулей памяти в центрах обработки данных, поскольку они выигрывают от DRAM большой емкости. Но в то время как чипы емкостью 32 ГБ открывают двери для модулей DDR5 на 1 ТБ, Micron не торопится и в следующем году будет предлагать только модули DDR5 на 128 ГБ на основе этих чипов. В дальнейшем компания планирует модули DDR5 емкостью 192 ГБ и 256 ГБ.
Между тем модули памяти емкостью 512 ГБ и 1 ТБ в настоящее время не указаны в дорожной карте компании, возможно, потому, что Micron по-прежнему считает их нишевыми устройствами, которые она может сделать доступными для избранных клиентов.
Также дорожная карта Micron, опубликованная в среду, подтверждает планы Micron по массовому производству микросхем памяти GDDR7 на 16 ГБ и 24 ГБ со скоростью передачи данных 32 ГТ/с в середине 2024 года, а также памяти HBMNext с пропускной способностью 1,5 - 2 ТБ/с в 2026 году.
