Южнокорейская компания SK hynix объявила о начале серийного производства флэш-памяти 3D-NAND с еще бóльшим числом слоев в каждой микросхеме, чем было достигнуто ранее, – 238. До недавнего времени компания изготавливала основную массу своей флэш-продукции по 176-слойной технологии – отставая по этому показателю от других ключевых производителей NAND, YMTC и Micron, уже успевших освоить создание полупроводниковых кристаллов в 232 слоя.
Поскольку с ростом числа слоев емкость микросхемы памяти, занимающей ту же самую площадь на исходной пластине-заготовке, пропорционально увеличивается, переход от 176 к 238 слоям обеспечивает рост производственной эффективности на 34%, соответствующим образом снижая издержки и повышая конкурентоспособность готовой продукции.
Первые партии 238-слойной 3D-NAND предназначаются для оснащения смартфонов, изготавливаемых партнерами SK hynix. Через некоторое время компания планирует начать поставки таких чипов изготовителям SSD самого разного назначения, вплоть до enterprise-категории. Заявленная скорость передачи данных для новых фэлш-микросхем по непосредственно подведенному к ним интерфейсу составляет 2,4 Гбит/с, что на 50% больше, чем для 176-слойных. В переложении на готовую продукцию (те же SSD, сформированные из нескольких чипов NAND, управляемых контроллером) реальные скорости чтения и записи должны вырасти примерно на 20%.