Micron анонсировала собственную версию хранилища UFS 4.0, которая будет использоваться в будущих смартфонах, планшетах и других устройствах. Флэш-память следующего поколения отличается невероятной скоростью чтения и записи, превосходя стандарт PCIe Gen 3.0, а также демонстрирует повышенную энергоэффективность.
Особенности
Новые накопители Micron UFS 4.0 доступны в трёх вариантах ёмкости: 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Все они оснащены контроллерами собственного производства. В более дорогих продуктах ёмкостью 512 ГБ и 1 ТБ используются микросхемы флеш-памяти 3D TLC NAND ёмкостью 1 ТБ с 232 слоями и архитектурой с шестью массивами. Согласно Micron, их UFS 4.0 гораздо быстрее чипов Samsung UFS 4.0.
Компания заявляет, что её технология NAND может достигать скорости последовательного чтения 4300 МБ/с и скорости последовательной записи 4000 МБ/с. Тогда как аналогичная флеш-память от корейского производителя демонстрирует до 4200 МБ/с и 2800 МБ/с соответственно.
Кроме того, Micron утверждает, что благодаря этому приложения для смартфонов будут запускаться на 15% быстрее, а скорость загрузки мобильных устройств станет на 20% выше по сравнению с UFS 3.1. Также энергоэффективность новой технологии на 25% выше, чем у предыдущего стандарта, а два часа потокового контента 4K пользователи смогут загрузить менее чем за 15 секунд. А это в два раза быстрее, чем стандарт UFS 3.1.
Доступность
В настоящее время Micron тестирует свои накопители UFS 4.0 с ведущими производителями смартфонов и планирует начать массовое производство во второй половине текущего года.