Американская компания Micron решила помериться силами с Samsung, представив собственную версию памяти UFS 4.0 для мобильных устройств. Судя по озвученным цифрам, новая память существенно быстрее южнокорейской, что должно ускорить работу смартфонов и планшетов.
Universal Flash Storage (UFS) 4.0 от Micron создана основе NAND-технологии с 232-слойными трёхуровневыми ячейками (TLC) и предлагается в вариантах с 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ памяти. Как утверждает вендор, его накопители превосходят решения конкурентов в нескольких критических тестах, обеспечивая самую высокую в отрасли производительность.
По заверениям Micron, её новая флэш-память может достигать при последовательном чтении скорости 4300 МБ/с, а при последовательной записи — 4000 МБ/с. Для сравнения, аналогичная память UFS 4.0 от Samsung обеспечивает до 4200 МБ/с и 2800 МБ/с соответственно. Смартфоны с этой памятью будут на 15% быстрее запускать приложения и на 20% быстрее загружаться, чем устройства с UFS 3.1. Кроме того, энергоэффективность была улучшена на 25%, загрузка данных происходит вдвое быстрее — два часа онлайн-видео в 4K менее чем за 15 секунд.
Массовое производство новой памяти начнётся во второй половине 2023 года. Так что первые устройства с ней стоит ждать в конце 2023-го или в начале 2024-го.