Samsung и TSMC долгое время ведут борьбу за первенство в кремниевых технологиях, поскольку эти две компании являются прямыми конкурентами в литейном производстве. Обе компании в прошлом производили чипы для Apple и Nvidia, а теперь борются за лидерство, рассказывая о своих планах на следующее поколение на несколько лет вперед. TSMC уже рассказала о своих планах по 2-нм техпроцессу, заявив, что этот узел будет запущен в 2025 году. Теперь Samsung объявила, что в 2025 году она также перейдет на 2-нм процесс, тем самым, ознаменовав новый этап соперничества с крупнейшим конкурентом. Конечно, Intel здесь тоже участвует, хотя, учитывая ее послужной список, она находится в списке "поживем-увидим", пока не докажет, что может выполнить то, что обещала.
У Samsung есть небольшое преимущество перед TSMC, по крайней мере, в 3-нм кремнии. Впервые он был представлен в июле 2022 года, когда компания объявила, что отказывается от FinFET и переходит на 3-нм gate-all-around (GAA) транзисторы, к чему также стремились как TSMC, так и Intel. TSMC объявила о производстве 3-нанометровых чипов в последние дни 2022 года и только сейчас начинает наращивать объемы производства, а компания Apple, как сообщается, закупила всю первую партию. TSMC по-прежнему использует FinFET для своих 3-нм чипов, которые она называет FinFlex из-за возможности настройки своей архитектуры. Пока неизвестно, какие компании сделали заказы на 3-нм продукцию Samsung.
Дизайн нанолистов Samsung называется MBCFET.
По данным Wccftech, Samsung перешла на GAAFET, чтобы получить преимущество в решении своих инженерных проблем, поскольку это первый транзисторный дизайн, не основанный на FinFET, за более чем десятилетие. TSMC придется решать эти проблемы, когда в ближайшие годы начнется серьезное производство 2-нм пластин. Однако обе компании идут аналогичным путем к 2-нанометровому техпроцессу: Samsung выбирает MBCFET, что означает Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor, конструкция которого представляет собой нанолист. TSMC также будет использовать нанолисты при переходе на 2 нм, а Intel выбрала конструкцию RibbonFET для своего техпроцесса 20A, который предположительно появится в 2024 году.
Samsung объявила о своих планах на недавнем мероприятии Foundry Forum в Сан-Хосе, заявив, что ее первые 2-нанометровые продукты будут изготовлены для смартфонов и поступят в продажу в 2025 году. Затем в будущую версию будет добавлено питание с обратной стороны.
В свою очередь, Intel недавно объявила, что у нее уже работает обратная подача питания на прототипном чипе, что позволяет ей опередить Samsung и TSMC на два года. Конечно, это в том случае, если Intel сможет достичь своей цели по запуску этой продукции в первой половине 2024 года с помощью своего процесса 20A.
