Диоды Шоттки гораздо проще чем полупроводниковые кремниевые или германиевые устройства с односторонней проводимостью.
Их простота позволяет получать аналогичные свойства у самодельных выпрямителей и детекторов даже дома на кухне. Старинные меднозакисные выпрямители по типу аналогичны диодам Шоттки.
Для многих, даже грамотных радиоспециалистов, заявление о том, что Диоды Шоттки имеют Базу кажется верхом глупости, но ....
Традиционные Анод и Катод типовых выпрямительных диодов "нервно курят в сторонке" вместе с Петром Салимовым Владимировичем Кочергиным =)
Компания Diodes представила выпрямительные диоды с супер барьером (Super Barrier Rectifier SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q , изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии.
В остальном Диод Шоттки отличается от обычных кремниевых диодов как арбуз от чемодана. Диод Шоттки делают из кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и редко — на основе германия (Ge). Металл в соединении с полупроводником определяет многие параметры диода. Этим металлом, может быть, золото (Au), палладий (Pd), платина (Pt), вольфрам (W) которые наносятся на полупроводники. Также как и обычный диод соединение полупроводник-металл обладает односторонней проводимостью с рядом положительных, а также отрицательных качеств.
Интересные , а порой и весьма странные, свойства SBR диодов Шоттки определяются его внутренней объемной структурой
Диоды Шоттки с тонкой базой и супер барьером долгое время делались и использовались в схемах как устройства не имеющие теоретического описания и предсказуемых характеристик. Только благодаря работам Советского инженера Олега Лосева были описаны теоретические принципы и законы проводимости в слоях объемных структур. Именно с той поры производство полупроводников по работам Лосева стало массовым, а выпрямители стало возможно делать с заранее прогнозируемыми свойствами. (сегодня об этом стараются забыть)
Super Barrier Rectifier (SBR) diode is designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers, thus SBR’s forward bias operation at low voltage is similar to Schottky diode.
На Хинди это переводится так
सुपर बैरियर रेक्टिफायर (एसबीआर) डायोड उच्च शक्ति, कम नुकसान और तेजी से स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है । इसकी संरचना के भीतर एक एमओएस चैनल की उपस्थिति बहुसंख्यक वाहक के लिए एक कम संभावित अवरोध बनाती है, इस प्रकार कम वोल्टेज पर एसबीआर का फॉरवर्ड बायस ऑपरेशन शोट्की डायोड के समान है ।