С переходом индустрии на 3-нм техпроцесс Samsung намерена составить серьёзную конкуренцию тайваньской TSMC, представив в июне на VLSI Symposium 2023 фирменные технологии SF3 и SF4X. Они представляют собой улучшенные варианты 3- и 4-нм технологических процессов изготовления полупроводниковой продукции.
SF3 представляет собой 3-нм техпроцесс с применением архитектуры Gate-All-Around (GAA). Samsung называет их многоканальными мостовыми полевыми транзисторами (MBCFET), где затвор расположен не только сверху и по бокам, но и снизу. Такое решение обеспечивает увеличение плотности расположения транзисторов, поскольку их можно накладывать друг на друга вертикально, а не только в горизонтальной плоскости.
SF4X — 4-нм техпроцесс Samsung четвёртого поколения. Как утверждается, он обеспечивает 10%-й прирост производительности и 23%-й прирост энергоэффективности по сравнению с SF4. При этом SF3, как ожидается, будет на 22% производительнее и на 34% энергоэффективнее SF4, а физический размер чипа будет на 21% меньше.
Все подробности будут озвучены на июньской выставке VLSI Symposium 2023.