Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, анонсировала разработку первой в отрасли памяти DRAM объемом 128 гигабайт (ГБ) с поддержкой стандарта Compute Express Link™ (CXL™) 2.0. Новый продукт был разработан в тесном сотрудничестве с компанией Intel на базе платформы Intel® Xeon®. Ожидается, что созданный на базе собственной первой в отрасли памяти DRAM с поддержкой CXL 1.1, представленной компанией Samsung в мае 2022 года, новый DRAM 128 ГБ на основе CXL 2.0 ускорит коммерциализацию решений памяти следующего поколения. Новая CXL DRAM поддерживает интерфейс PCle 5.0 (x8 линий) и обеспечивает пропускную способность до 35 ГБ в секунду.
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, анонсировала разработку первой в отрасли памяти DRAM объемом 128 гигабайт (ГБ) с поддержкой стандарта Compute Express Link™ (CXL™) 2.0. Новый продукт был разработан в тесном сотрудничестве с компанией Intel на базе платформы Intel® Xeon®.
Ожидается, что созданный на базе собственной первой в отрасли памяти DRAM с поддержкой CXL 1.1, представленной компанией Samsung в мае 2022 года, новый DRAM 128 ГБ на основе CXL 2.0 ускорит коммерциализацию решений памяти следующего поколения. Новая CXL DRAM поддерживает интерфейс PCle 5.0 (x8 линий) и обеспечивает пропускную способность до 35 ГБ в секунду.