Американский производитель оперативной памяти и флеш-памяти Micron представил два новых твердотельных накопителя для дата-центров. Модели 6500 ION и XTR NVMe созданы для интенсивных нагрузок, у них высокая ёмкость и надёжность. Это должно помочь дата-центрам сократить расходы на эксплуатацию и увеличить эффективность хранения данных.
6500 ION основан на чипах TLC с 232 двумя слоями. Это первый накопитель NVMe, где таких слоёв больше 200. Задержка чтения у него обещана на 34% ниже по сравнению с накопителями на чипах QLC. Скорость последовательной записи данных должна быть выше на 58%, количество операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении блоков данных размером 4 КБ на 62% выше, при произвольной записи в 30 раз выше, а долговечность при произвольной записи выросла на порядок.
Этот накопитель имеет ёмкость только 30,72 ТБ в форм-факторах U.3 и E1.L. Micron говорит о наличии сильных сторон типов памяти QLC и TLC. Скорость последовательного чтения и записи данных составляет 6,8/5 ГБ/с, при чтении случайных блоков данных достигая 1 млн/200000 IOPS. Энергопотребление составляет 20 Вт против 25 Вт в современных SSD.
Накопитель XTR предлагает вместимостью 960 ГБ и 1,92 ТБ. Здесь скорость последовательного чтения данных достигает 6800 МБ/с, записи 5600 МБ/с и 5300 МБ/с соответственно. Скорость произвольного чтения данных 900000 IOPS, записи от 250000 IOPS до 350000 IOPS, задержка чтения 60 мкс, записи 15 мкс.
Накопители XTR имеют долговечность до 60 DWPD при последовательных рабочих нагрузках и 35 DWPD при случайных нагрузках 4K. Это значительно превосходит показатели других накопителей на чипах NAND.
Промышленное производство всех описанных выше моделей начнётся в конце мая. В конечном счёте ожидается их появление в розничной продаже, но цены не называются, пишет Techspot.