12,4 тыс подписчиков

Простая и эффективная схема защиты на полевом транзисторе

7 мая 20237 мая 2023

768

2 мин

Всем привет! В процессе ремонта фоторамки я составил часть схемы ее питания. Этот электронный прибор содержит простое и эффективное решение для защиты схемы от повышенного напряжения на входе. Схема защиты на 2-х транзисторах В схеме используются всего 2 транзистора - биполярный структуры PNP и полевой P-ch FET. Ключ реализован на полевом транзисторе. Максимальное входное напряжение в схемы составляет 5.5 В. Любое напряжение свыше этого порога приводит к срабатыванию защиты. Такая схема позволяет избежать выгорания дорогостоящих компонентов, проца, например, при подключении нештатного адаптера. Здесь это перепутать легко, так как разъем питания нестандартный микро/мини USB. Разъем в этом гаджете цилиндрический, как в старых аудиоплеерах. Схема защиты на полевом транзисторе На рисунках приведена схема защиты на транзисторах, с указанными уровнями напряжения в контрольных точках. На стабилитроне и биполярном транзисторе реализована схема управления полевым транзистором. Когда входное

Оглавление

Схема защиты на 2-х транзисторах
Схема защиты на полевом транзисторе

Всем привет!

В процессе ремонта фоторамки я составил часть схемы ее питания. Этот электронный прибор содержит простое и эффективное решение для защиты схемы от повышенного напряжения на входе.

Схема защиты на 2-х транзисторах

В схеме используются всего 2 транзистора - биполярный структуры PNP и полевой P-ch FET. Ключ реализован на полевом транзисторе. Максимальное входное напряжение в схемы составляет 5.5 В. Любое напряжение свыше этого порога приводит к срабатыванию защиты.

Такая схема позволяет избежать выгорания дорогостоящих компонентов, проца, например, при подключении нештатного адаптера. Здесь это перепутать легко, так как разъем питания нестандартный микро/мини USB. Разъем в этом гаджете цилиндрический, как в старых аудиоплеерах.

Схема защиты на полевом транзисторе

На рисунках приведена схема защиты на транзисторах, с указанными уровнями напряжения в контрольных точках. На стабилитроне и биполярном транзисторе реализована схема управления полевым транзистором.

Когда входное напряжение близко к номинальному значению, ток через стабилитрон ZD1 не течет, он закрыт. При этом, соответственно закрыт и транзистор Q1.

Полевой транзистор P-канал открывается с приходом низкого потенциала на затвор

На затворе полевого транзисторного ключа присутствует низкий уровень = 0.1 В. Полевой транзистор структуры P-ch ( P канал) открыт и пропускает ток. В контрольной точке Vsys имеем практически уровень напряжения питания.

При увеличении уровня входного напряжения возрастает напряжение на стабилитроне, он открывается и пропускает ток. Напряжение на базе биполярного транзистора практически равно напряжению на эмиттере, он открывается.

Транзистор PNP открывается с приходом низкого уровня на базу относительно эмиттера.

На затворе полевого транзистора Q2 появится высокий уровень, закрывающий транзистор. Ток в нагрузку не поступает, напряжение в КТ Vsys = 0.

Напряжения в контрольных точках при повышенном напряжении питания

При понижении входного напряжения до номинального, напряжение на стабилитроне упадет - он закроется, а следом закроется и биполярный транзистор Q1. При этом откроется полевой транзистор Q2.

Данную схему в SMD исполнении можно уместить в квадрате размером 5мм.

Транзисторы можно применить в схеме такие :