Исследователи NAND из Kioxia успешно продемонстрировали рабочую концепцию новой архитектуры хранения данных, называемой флэш-памятью NAND с ячейками гепта-уровня. Этот новый тип NAND может содержать до 7 бит на ячейку, что почти вдвое превышает емкость флэш-памяти QLC NAND. Если Kioxia сможет стабилизировать эту архитектуру, она может стать идеальным преемником вращающихся жестких дисков в потребительских и корпоративных приложениях. Для создания флэш-памяти NAND уровня hepta компания Kioxia использует новую конструкцию под названием «new silicon process technology» для увеличения плотности ячеек в сочетании с криогенным охлаждением. Новый кремниевый технологический процесс заменяет существующие поликремниевые материалы монокристаллическим кремнием, который используется в канале внутри транзистора ячейки памяти. Это, по-видимому, уменьшает количество шума чтения, исходящего от флэш-памяти NAND, до двух третей. Другими словами, новый кремниевый техпроцесс обеспечивает получение более че
Исследователи Kioxia продемонстрировали концепцию 7-битной флэш-памяти NAND
3 апреля 20233 апр 2023
5
2 мин