Я уже рассказывал о работе диода, теперь пришло время рассказать о транзисторах. Биполярный транзистор (полупроводниковый триод) состоит из трех слоев полупроводника: p-n-p или n-p-n. Соответственно есть два p-n перехода, включенных навстречу друг другу. При подключении к транзистору внешних источников напряжения по схеме с общей базой напряжение Uэб подводится плюсом к эмиттеру, т.е. p-n переход эмиттер - база включен в прямом направлении. Ширина запирающего слоя (зеленый цвет на рис. 1) уменьшается. Напряжение Uкб подводится минусом к коллектору, p-n переход получает обратное смещение и ширина запирающего слоя увеличивается. Под действием прямого напряжения, приложенного к эмиттерному переходу, потенциальный барьер понижается и в базу диффундируют (инжектируются) дырки. Инжектированные в базу дырки диффундируют в сторону коллекторного перехода. Так как слой базы конструктивно выполняется очень тонкой, то концентрация основных носителей заряда — свободных электронов — в ней низкая