Всем привет!
Перед публикацией новости хочется сделать небольшую ремарку:
Как можно было заметить, статьи не выходили целый год, и на то к сожалению были причины. Так что придется наверстывать упущенное: параллельно с новостными и более глубокими, авторскими статьями, будут выходить статьи за 2022 год по многим направлениям. Надеюсь, что новый контент поможет в какой-либо степени восполнить годичный пробел :)
Компания SK Hynix представила 300-слойную флэш-память NAND 3D 8-го поколения, сообщает Tom's Hardware.
SK Hynix была в авангарде инноваций благодаря своей многослойной технологии NAND. В августе прошлого года компания объявила о разработке 238-слойной флэш-памяти NAND 4D. Ожидается, что эта память поступит в массовое производство в первой половине этого года. Но по мере того, как эта технология выходит на рынок, SK Hynix смотрит дальше.
У интернет-издания Tom's Hardware есть новая информация о будущей технологии 3D NAND 8-го поколения. Он будет иметь более 300 слоев, обеспечивающих емкость 1 ТБ (128 ГБ) при гораздо более высокой плотности 20 ГБ на квадратный мм. У него будет более высокая пропускная способность, чем у 238-слойной памяти, на 18%, достигающая 194 МБ/с.
Также, компания поделилась новыми технологиями, которые обеспечат более высокую плотность размещения памяти:
- Функция Triple-Verify Program (TPGM, метод тройной проверки програмирования), которая сужает распределение порогового напряжения ячейки и сокращает tPROG (время выполнения программы) на 10 %, что обеспечивает более высокую производительность;
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP, технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки) — еще одна процедура для снижения tPROG примерно на 2%;
- Схема All-Pass Rising (APR), которая уменьшает tR (время чтения) примерно на 2% и сокращает время нарастания строки слова;
- Метод Programmed Dummy String (PDS, метод всепроходного нарастания), который сокращает время установления мировой линии для tPROG и tR за счет уменьшения емкостной нагрузки канала;
- Возможность повторной попытки чтения на уровне плоскости (PLRR), которая позволяет изменять уровень чтения плоскости, не останавливая другие. Тем самым немедленно выдавая последующие команды чтения и улучшая качество обслуживания (QoS) и, следовательно, производительность чтения.
Сроки выхода нового поколения памяти Sky Hynix не озвучила, но с учетом того, что компания высказала все подробности о новой технологии, новинка обкатывается и ожидает выхода в 2024 году. Как многим известно, технологические гиганты с неохотой выпускают новый продукт, при актуальности ранее выпущенных решений.
Интересная статья о технологии 3D NAND.
Источник: SK Hynix / Tom's Hardware / Videocardz.
# технологии
# it