Данная проблема чаще всего встречается на аппаратах Samsung A30/A31/A50/A51, так же на Poco X3/X3 Pro.
Характер проблемы достаточно прост - после нескольких несильных падений возникают проблемы с зарядкой, телефон начинает заряжаться намного дольше, хотя и говорит что включена быстрая зарядка (если таковая имеется, конечно).
При подключении к USB тестеру видно скачущий ампераж, от 0.2А до 1А, но чаще находящийся в пределах 0.2-0.5А, причем, ЧСХ, если нажать на корпус в местах, где межплатный шлейф подключается к основной и/или нижней плате - то зарядка магическим образом выходит на положенные 2А.
На данном этапе диагностики, некоторые мастера говорят - замена нижней платы, замена межплатного шлейфа, замена коннектора шлейфа на основной плате. В общем, на слух достаточно дорого, однако есть одно но.
Примерно начиная с 20 года, во многих телефонах Samsung и Xiaomi стали использовать для VBUS и GND боковые зажимы коннектора межплатного шлейфа. Вот, к примеру, нижняя плата от Samsung A51.
Стрелками я указал эти самые зажимы, используем немного зума на левом зажиме.
Видно, что он как бы отделен от GND. В качестве положительного момента данного решения - больше площадь контакта с шлейфом, значит можно реализовывать более быструю зарядку, за счет более толстых контактов - лучше переживают контакт с водой. Однако основным минусом данного контакта является его ослабление после нескольких падений ТА, что и приводит к проблемам с зарядкой. Причем проблема массовая, на самом деле, так как похожая система используется во многих ТА, вот к примеру, Redmi Note 10S.
И поближе коннектор.
И чтобы решить эту проблему, достаточно просто слегка поджать эти зажимы в местах, помеченных стрелками, и, ваша проблема будет решена.