Компания Intrinsic Semiconductor Technologies, по сообщению The Register, привлекла на развитие без малого $10 млн. Средства будут направлены на разработку и вывод на коммерческий рынок резистивной памяти с произвольным доступом — Resistive RAM (ReRAM или RRAM), которая, как утверждается, приведёт к появлению интеллектуальных устройств нового поколения.
Британский стартап Intrinsic был основан в 2017 году исследователями из Университетского колледжа Лондона (UCL). Компания специализируется на создании ReRAM-памяти, принцип работы которой заключается в изменении сопротивления ячейки под действием электрического тока. Технология Intrinsic основана на более чем десятилетних исследованиях специалистов UCL.
Изображение: Intrinsic
Как сообщается, главное преимущество решения Intrinsic по сравнению с другими реализациями ReRAM заключается в том, что память компании использует стандартные полупроводниковые материалы, а именно диоксид кремния. Это делает память совместимой с КМОП-продуктами, а следовательно, позволяет применять существующие производственные мощности с целью снижения себестоимости.
Кроме того, реализуемая технология упрощает интеграцию с логическими схемами, используемыми для создания процессоров. Компания заявляет, что её память ReRAM способна считывать данные в 10–100 раз быстрее и записывать их в 1000 раз быстрее, чем существующие решения.
Сообщается, что Intrinsic получила £7 млн (около $8,5 млн) финансирования под руководством Octopus Ventures вместе с существующими инвесторами IP Group и UCL Technology Fund. Кроме того, ещё £1 млн ($1,22 млн) привлечён в виде грантов от государственного агентства по инновациям Innovate UK. «Это финансирование сыграет решающую роль в привлечении высококвалифицированных специалистов для развития коммерческого потенциала Intrinsic», — сказал генеральный директор компании Марк Дикинсон (Mark Dickinson).
Больше интересных новостей на сайте Servernews:
• Trendforce прогнозирует рост спроса на серверную память DRAM благодаря развитию рынка ИИ и HPC
• GlobalFoundries приобрела у Renesas технологию CBRAM
• Weebit Nano получила первые 22-нм кристаллы ReRAM, выполненные по технологии FD-SOI