Ученые МФТИ придумали, как улучшить материал для создания флешек нового поколения с другим типом памяти.
Как пишет Газета.Ru, речь о том, чтобы использовать для память флешек сегнетоэлектрики. Это особые материалы, которые могут менять электрическую поляризацию под воздействием внешнего электрического поля.
Такие пленки — основа запоминающих устройств нового поколения, которые, как предполагается, заменят собой флешки. Их память будет заметно быстрее памяти простых флеш-карт. Кроме того, такие устройства будут служить дольше.
Но есть и некоторые недостатки, которые еще предстоит устранить перед массовым внедрением этой технологии. В частности, при многократной перезаписи данным меняется так называемое «окно памяти». Это диапазон значений, при которых устройства могут правильно различать и хранить информацию.