Учёные НГУ разработали мемристоры, способные превзойти флеш-память

В Новосибирском государственном университете (НГУ) научные сотрудники объявили о разработке новых элементов памяти – мемристоров, которые имеют потенциал значительно превзойти современные технологии флеш-памяти по ключевым параметрам, таким как объём хранения, количество циклов перезаписи и скорость доступа к данным. Данная информация была озвучена на пресс-конференции представительями НГУ.

Как сообщил Иван Юшков, научный сотрудник лаборатории НГУ, современные технологии флеш-памяти достигли предела своих возможностей по количеству циклов перезаписи, что ограничивает их использование в современных устройствах. Мемристоры, с другой стороны, представляют собой специализированные резисторы с эффектом памяти, способные сохранять данные даже при отключении питания.

Учёные НГУ стали первыми в мире, кто обнаружил мемристорный эффект в кремний-германиевых стеклах, что открывает новые горизонты в разработке памяти. Специалисты Вагоны провели эксперименты, в которых использовали пленки с различными сочетаниями оксидов кремния и германия, а также изучали их свойства при различных температурных режимах, достигающих более 102°C.

Моделирование свойств мемристоров проводилось с помощью модели ]]>