Компания Huawei тестирует ключевые компоненты для литографической машины в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV) на своем заводе в Дунгуане, как сообщают источники в социальных сетях X. По их данным, первый опытный запуск оборудования для производства схем планируется во втором квартале 2025 года, а полномасштабное производство начнется в 2026 году. Однако, пока что график остается неопределенным, и информации от официальных источников нет.
Технология EUV-литографии основана на лазерной плазме, индуцированной разрядом (ТБД), которая генерирует свет с длиной волны 13,5 нм — это критически важно для создания передовых чипов. Китай стремится развивать эту технологию в условиях ограничений на экспорт оборудования от мирового лидера в этой области — компании ASML, которая отказала Китаю в доступе к своему оборудованию.
Западные страны ограничили экспорт передовых литографических технологий в Китай, опасаясь, что они могут быть использованы для разработки мощных систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем, включая военные технологии. Эти ограничения стали препятствием для китайского производителя полупроводников SMIC, который вынужден был работать с менее эффективной глубокой УФ-литографией и производить чипы на уровне 7 и 5 нм.
Тем временем, такие лидеры отрасли, как TSMC, выпускают чипы на базе 3-нм технологий, а также стремятся к 2-нм, что оставляет Китай далеко позади в плане технологических достижений в производстве полупроводников. Разработка собственного оборудования для EUV-литографии могла бы стать решающим шагом для Китая, позволяющим преодолеть зависимость от иностранных технологий.
На фотографии, опубликованной источниками, изображен оптический интерферометр — один из элементов, необходимых для создания EUV-литографического сканера. Такой сканер обычно имеет размеры двухэтажного автобуса. В комплекте с оборудованием для тестирования также представлена информация о китайской лаборатории, занимающейся разработкой элементов для этой технологии.
Система на основе лазерной плазмы (LPP), которую использует ASML, является сложной в управлении, но она производит более мощное излучение, что повышает эффективность. В отличие от этого, система LDP (менее затратная) требует менее сложной настройки, но обладает меньшей выходной мощностью.
Китай также работает над созданием источника мягкого рентгеновского излучения для литографии, что на первых этапах видится далеким от идеального варианта для EUV.
Хотя тесты на интерферометрию и другие достижения показывают, что Китай активно работает над созданием независимой экосистемы для передового производства чипов, его потенциал по-прежнему ограничен сложностью объединения различных подсистем для создания EUV-литографического сканера. Также необходимо разработать инфраструктуру для обеспечения производства масок, пленок и резистивных материалов — всех составляющих, которые играют критическую роль в литографическом процессе.
По словам экспертов, Китай может отставать от мировых лидеров в области производства чипов на несколько лет. Тем не менее, амбиции Китая в сфере высоких технологий и значительные усилия по развитию собственных технологий EUV создают предпосылки для значительных достижений в ближайшем будущем.
Источник: https://www.eenewseurope.com/en/china-developed-euv-lithography-could-trial-in-2025/
Больше интересного – на медиапортале https://www.cta.ru/