На текущий момент компания Kioxia представила 3D NAND память с рекордными 332 слоями, оставив позади SK hynix, которая в ноябре выпустила образец с 321 слоем. Китайская YMTC со своими 294 слоями также отстала в этой гонке технологий. Однако недавняя информация указывает на необходимость получения лицензии от YMTC как для Samsung, так и для SK hynix, чтобы разработать память с более чем 400 слоями.
По данным из осведомленных источников, сотрудничество между Samsung Electronics и YMTC уже успешно заключено. Китайская фирма предоставит корейскому гиганту лицензию на свою технологию гибридного сращивания кремниевых пластин, известную как Xtacking, которую она запатентовала ранее. Точнее говоря, сама YMTC получила лицензию на данную технологию у компании Xperi в 2021 году, благодаря чему и стала пионером во внедрении данного метода в производство флеш-памяти.
Samsung планирует внедрить эту технологию в свои разработки, чтобы начать выпуск 3D NAND микросхем с более чем 400-слойной структурой во второй половине года, заключив лицензионное соглашение с YMTC заблаговременно.
Компания SK hynix, в свою очередь, наметила выпуск 400-слойной памяти на следующий год. В прошлом ноябре ей удалось начать производство чипов с 321 слоем, что дало ей временное преимущество перед Samsung, которая пока выпускает микросхемы с 286 слоями. Ожидается, что для преодоления порога в 400 слоев, обеим корейским корпорациям необходимо будет взаимодействовать с YMTC по вопросу лицензирования.