Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½ΡƒΠŸΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ
Найти Π² Π”Π·Π΅Π½Π΅
Serg SV

πŸ“™ Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ способ сглаТивания ΠŸΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ: схСма Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π”Π ΠžΠ‘Π‘Π•Π›Π―

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ, ΠΊΡ‚ΠΎ сталкивался с построСниСм качСствСнного усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, Π·Π½Π°Π΅Ρ‚, насколько ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ чистоС ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π”Π°ΠΆΠ΅ нСбольшиС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния способны ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚, вызывая Ρ„ΠΎΠ½, Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΈ искаТСния. ОсобСнно это Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π² усилитСлях класса A, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ постоянСн, Π½ΠΎ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ питания Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° качСствС Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. РаньшС для сглаТивания ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ дроссСли – массивныС ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ вмСстС с кондСнсаторами Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот. Они эффСктивно подавляли ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ напряТСния, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ свои нСдостатки: Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, вСс, элСктромагнитныС Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ энСргии. LDO стабилизатор с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° BC547B ΠΈ BD136: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ стали элСктронныС дроссСли – Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Ρ‹ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ MOSFET-транзисторов. Они Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ, Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Π΅Π΅, эффСктивнСС ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅, обСспСчивая Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ
ОглавлСниС

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π”Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ источника питания транзисторного усилитСля мощности ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠΈ

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ, ΠΊΡ‚ΠΎ сталкивался с построСниСм качСствСнного усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, Π·Π½Π°Π΅Ρ‚, насколько ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ чистоС ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π”Π°ΠΆΠ΅ нСбольшиС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния способны ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚, вызывая Ρ„ΠΎΠ½, Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΈ искаТСния. ОсобСнно это Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π² усилитСлях класса A, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ постоянСн, Π½ΠΎ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ питания Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° качСствС Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.

РаньшС для сглаТивания ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ дроссСли – массивныС ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ вмСстС с кондСнсаторами Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот. Они эффСктивно подавляли ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ напряТСния, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ свои нСдостатки: Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, вСс, элСктромагнитныС Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ энСргии.

LDO стабилизатор с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° BC547B ΠΈ BD136: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ стали элСктронныС дроссСли – Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Ρ‹ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ MOSFET-транзисторов. Они Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ, Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Π΅Π΅, эффСктивнСС ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅, обСспСчивая Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π±Π΅Π· нСобходимости использования Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΎΠ·Π΄ΠΊΠΈΡ… индуктивностСй. ИмСнно Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ прСдставлСно Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ прСдставляСт собой Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½Π° основС силового MOSFET-транзистора, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для сниТСния ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ напряТСния, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° выпрямитСля источника питания. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство особСнно ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ Π² схСмах усилитСлСй мощности, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°ΠΌΠΈ ΠΈ высоким ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ эффСктивности.

β˜‘οΈ ЗаглянитС Π½Π° ΠΌΠΎΠΉ Π’Π΅Π»Π΅Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌ ΠšΠΠΠΠ› Азбука Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ‘Ρ…Π΅ΠΌ

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° элСктронного дроссСля Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС

-2

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° схСмы

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Π°Ρ схСма ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ рядом ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… прСимущСств:

  • Высокий коэффициСнт Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сниТСниС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ практичСски Π² 1000 Ρ€Π°Π·, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля.
  • Высокая ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π° счёт использования MOSFET-транзистора с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.
  • ВстроСнная Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· строя элСмСнтов схСмы ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства.
  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π΅Ρ‘ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ конструкции усилитСлСй мощности Π±Π΅Π· Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ примСняСтся Π²:

  • Π£ΠœΠ—Π§ класса A, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π”ΠΆΠΎΠ½Π° Линсли-Π₯ΡƒΠ΄Π° (JLH), ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ усилитСли Π—Π΅Π½Π° ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅.
  • ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… стабилизации питания с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ уровнями ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ.
  • Высокоточных аудиоустройствах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся минимизация Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ², Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ питания.
  • Π›Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… источниках питания, Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

πŸ”΄ АвтоматичСский ЗарядноС Устройство 12Π’ аккумуляторов Π½Π° MOSFET IRFZ44N ΠΈ TL431

ОписаниС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° дроссСля Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя:

  • Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ мостС Br1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² постоянноС.
  • Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ кондСнсатор C1, ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ основныС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ выпрямлСнного напряТСния.
  • Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния: Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1 создаСт напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ всСгда Π½Π° 0,6–0,7 Π’ Π½ΠΈΠΆΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ выпрямитСля.
  • Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот (R2, C2, R3, C3), ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ высокочастотныС колСбания Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ мягкий пуск.
  • Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ транзистор T3 (IRL530), Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ повторитСля напряТСния.
  • Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ D2, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ, ограничивая напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ограничивая Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 7,2 А.
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ F1, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ схСму ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания.

ВсСго 20$ -ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Мини Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ осциллограф DSO 153

-3

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

  1. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС выпрямляСтся ΠΈ сглаТиваСтся кондСнсатором C1.
  2. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1 Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора подаётся стабилизированноС напряТСниС, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.
  3. ΠšΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡ элСмСнтов R2, C2, R3, C3 Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€, ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ остаточныС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ схСмы.
  4. MOSFET транзистор IRL530 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ повторитСля, обСспСчивая минимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.
  5. Π’ случаС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания стабилитрон D2 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, сниТая Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор ΠΈ прСдотвращая Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π².

πŸ”˜ Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ НапряТСния Π½Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΌ ΠŸΠžΠ›Π•Π’ΠžΠœ транзисторС IRLR2905 ΠΈ стабилитронС TL431

Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ характСристик

  • ИспользованиС Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ Π² выпрямитСлС сниТаСт ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° выпрямлСнии, увСличивая ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы.
  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ёмкости C1 позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Ρ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.
  • Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ транзистора с Π΅Ρ‰Ρ‘ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (Rds(on)) повысит ΠšΠŸΠ” схСмы ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ.
  • Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ экранированиС схСмы сниТаСт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… элСктромагнитных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, Ρ‡Ρ‚ΠΎ особСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π² аудиосистСмах высокого класса.

ΠŸΠ»Π°Ρ‚Π° усилитСля мощности, 30 Π’Ρ‚ + 30 Π’Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ 2.0 Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ класса ABΒ 

-4

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹:

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π½Π° MOSFET являСтся эффСктивным Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для сглаТивания ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π² источниках питания усилитСлСй мощности. Он обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ качСство Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π·Π° счёт сниТСния ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π² ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ. Благодаря своСй компактности, эффСктивности ΠΈ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ спСктрС элСктронных устройств, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… высококачСствСнного стабилизированного питания.