КП302БМ Транзисторы КП302БМ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ЖК3.365.233ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N3824, SMP6453, TMPF6453, TP6453. Основные технические характеристики транзистора КП302БМ: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,5... 7 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 43 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 18...43 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА; • S - Крутизна характеристики: 7... 14 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ; • Rcи отк Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 150 Ом; • tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс; • tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП302БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.
