КТ940А Транзисторы КТ940А кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 0,8 г. Вид климатического исполнения:
«УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0. 336.246ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N3440S, 2SC1569, 2SC2068, 2SC2242, 2SC2456, BF298, BF299, BF338, BF459, BF470, BF259, 2SC2611. Основные технические характеристики транзистора КТ940А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера не более 0,05 мкА (250В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 33 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ940А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента Источник передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 40 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. СОДЕРЖАНИЕ ДРАГМЕТАЛЛОВ ЗОЛОТО - 0.0043972 гр.