Компании Intel и TSMC готовятся запустить свои соответствующие технологические процессы Intel 18A и N2, каждый из которых предлагает значительные усовершенствования. С одной стороны, Intel утверждает, что её 18A обеспечит гораздо более высокий прирост производительности между поколениями. С другой стороны, TSMC подчеркивает впечатляющую плотность транзисторов N2. Но какой из них действительно станет лидером? Как оказалось, ответ не так прост. Если говорить о плотности транзисторов, то N2 от TSMC, похоже, является лидером. Данные публикации оценивают плотность транзисторов стандартной ячейки высокой плотности N2 во впечатляющие 313 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр, опережая Intel 18A с показателем 238 миллионов и Samsung SF3 с 231 миллионом. Конечно, плотность — это еще не все, разработчики микросхем используют сочетание ячеек высокой, стандартной и малой мощности. Однако преимущество TSMC в плотности может обеспечить лидерство в определенных рабочих нагрузках. Сравнение с
Техпроцесс Intel 18A превосходит по производительности TSMC N2, но отстает по плотности транзисторов
15 февраля 202515 фев 2025
1034
2 мин